存储计算的本质是在造电路
量子也是在造电路
它的本质是在 优化电路结构
如果现在存储计算的模块能达到2g 它可以毫不夸张的说
干翻现在的20g纯的内存
它比高低电平多了个自旋，旋转的 同时它在计算数据
这个效率不是一般的高，现在普通服务器也就2g 2h 好点的16 16
它的性能在特定的任务2g就能干翻16g
磁隧道结（MTJ）
- 结构：自由磁性层 / 氧化层 / 固定磁性层（如 CoFeB/MgO/CoFeB）
- 功能：通过隧穿磁阻效应（TMR）实现数据存储，结合电压/电流调控实现逻辑运算
- 逻辑操作：已实现 IMP、NAND 等基本逻辑门操作
- 特点：非易失、低功耗、与CMOS兼容，适合存内计算架构
2. 自旋轨道转矩（SOT）器件
- 材料体系：如重金属/铁磁层（Pt/CoFeB）、铁电/铁磁异质结构
- 功能：利用自旋轨道转矩实现磁矩翻转，完成写入；通过电阻变化读取状态
- 优势：无需外磁场辅助，写入速度快，抗疲劳性强，适合高密度集成
3. 三态自旋电子器件
- 功能：在单个器件中实现三种阻态，支持多值存储与逻辑运算
- 逻辑操作：实现三值神经网络中的 GXNOR 运算，支持并行计算
- 应用：用于构建高密度、低功耗的神经形态计算阵列
4. 多铁性异质结构
- 材料：如 BiFeO₃/CoFe、La₀.₁Bi₀.₉MnO₃ 等
- 功能：通过电场调控磁矩方向，实现电写磁读
- 特点：具备多阻态，支持多值存储，适合构建多功能逻辑器件
